IRF9620STRLPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
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Technische Details IRF9620STRLPBF

Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis IRF9620STRLPBF ab 3.67 EUR bis 5.04 EUR

IRF9620STRLPBF
Hersteller:
IRF9620STRLPBF 577 * * *
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9620STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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IRF9620STRLPBF
IRF9620STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
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IRF9620STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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