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IRF9Z30PBF

IRF9Z30PBF

packaging.pdf
Produktcode: 40285
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.14
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
/: THT
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Technische Details IRF9Z30PBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-18A
  • Drain Source Voltage, Vds:-50V
  • On Resistance, Rds(on):0.093ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:74W

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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Hersteller : Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0014347833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Hersteller : Vishay sihf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z30PBF Hersteller : VISHAY packaging.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9Z30PBF Hersteller : VISHAY packaging.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
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