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IRF9Z30PBF

Name: IRF9Z30PBF
Brand: IR
SKU: 40285
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 40285

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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.14
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
/: THT

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Technische Details IRF9Z30PBF IR

MOSFET
Transistor Polarity:P Channel
Continuous Drain Current, Id:-18A
Drain Source Voltage, Vds:-50V
On Resistance, Rds(on):0.093ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
Power Dissipation, Pd:74W

Weitere Produktangebote IRF9Z30PBF nach Preis ab 1.59 EUR bis 4.88 EUR

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Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

IRF9Z30PBF

Vishay

Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 106 Stücke:

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37+	3.92 EUR
56+	2.55 EUR
100+	1.69 EUR

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IRF9Z30PBF

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4 EUR
50+	2.35 EUR
100+	2.01 EUR
500+	2 EUR

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IRF9Z30PBF

Vishay

Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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33+	4.48 EUR

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IRF9Z30PBF

Vishay Semiconductors

MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A

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IRF9Z30PBF

VISHAY

Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

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IRF9Z30PBF

Vishay

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Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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IRF9Z30PBF

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

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