IRF9Z30PBF
Produktcode: 40285
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.14
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
/: THT
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.37 EUR |
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Technische Details IRF9Z30PBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:-18A
- Drain Source Voltage, Vds:-50V
- On Resistance, Rds(on):0.093ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
- Power Dissipation, Pd:74W
Weitere Produktangebote IRF9Z30PBF nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A |
auf Bestellung 1274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9Z30PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9Z30PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -18A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |