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IRF9Z30PBF

IRF9Z30PBF

irl620.pdf
Produktcode: 40285
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Id, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/28
Montage: THT
auf Bestellung 6 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.63 EUR
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Technische Details IRF9Z30PBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-18A
  • Drain Source Voltage, Vds:-50V
  • On Resistance, Rds(on):0.093ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:74W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
50+2.8 EUR
100+2.39 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.77 EUR
56+3.11 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf description MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+3.42 EUR
100+2.18 EUR
500+1.89 EUR
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF VISHAY VISH-S-A0019267820-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
66+3.52 EUR
104+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Vishay irf9z30.pdf description Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z30PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF9Z30PBF description VISH-S-A0019267820-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.52 EUR
66+3.52 EUR
104+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRF9Z30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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