IRFB18N50KPBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 23+ | 3.22 EUR |
| 25+ | 2.9 EUR |
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| 250+ | 2.14 EUR |
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Technische Details IRFB18N50KPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IRFB18N50KPBF nach Preis ab 1.36 EUR bis 11.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3 |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF Produktcode: 22900 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V |
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