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IRFB18N50KPBF

IRFB18N50KPBF VISHAY

IRFB18N50K.pdf Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
25+2.90 EUR
31+2.33 EUR
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Technische Details IRFB18N50KPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

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IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF Hersteller : VISHAY IRFB18N50K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
23+3.22 EUR
25+2.90 EUR
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IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF Hersteller : Vishay irfb18n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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43+3.51 EUR
87+1.66 EUR
100+1.48 EUR
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IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF Hersteller : Vishay irfb18n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF Hersteller : Vishay Siliconix irfb18n50k.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
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50+5.02 EUR
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IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF Hersteller : Vishay irfb18n50k.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF Hersteller : VISHAY irfb18n50k.pdf Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
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