
IRFB18N50KPBF VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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23+ | 3.22 EUR |
25+ | 2.90 EUR |
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33+ | 2.19 EUR |
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Technische Details IRFB18N50KPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFB18N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.
Weitere Produktangebote IRFB18N50KPBF nach Preis ab 1.46 EUR bis 9.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB18N50KPBF Produktcode: 22900
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay |
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IRFB18N50KPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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