auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
12+ | 4.45 EUR |
16+ | 3.43 EUR |
100+ | 3.07 EUR |
250+ | 3.02 EUR |
500+ | 2.73 EUR |
1000+ | 2.28 EUR |
2000+ | 2.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFBF20PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Weitere Produktangebote IRFBF20PBF nach Preis ab 3.11 EUR bis 5.54 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBF20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||
IRFBF20PBF Produktcode: 184540 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
IRFBF20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |