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IRFBF20PBF

IRFBF20PBF Vishay Siliconix


91120.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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Technische Details IRFBF20PBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFBF20PBF IRFBF20PBF Hersteller : Vishay Semiconductors 91120.pdf MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
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IRFBF20PBF IRFBF20PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRFBF20PBF IRFBF20PBF Hersteller : Vishay 91120.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Produktcode: 184540
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IRFBF20PBF IRFBF20PBF Hersteller : Vishay 91120.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBF20PBF IRFBF20PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90912AA1A62143&compId=IRFBF20.pdf?ci_sign=8b0b0b256941eced8be79db1bc9ec497f70ea88d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFBF20PBF IRFBF20PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90912AA1A62143&compId=IRFBF20.pdf?ci_sign=8b0b0b256941eced8be79db1bc9ec497f70ea88d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
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