IRFI9540GPBF

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
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Technische Details IRFI9540GPBF

Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Packaging: Tube, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Preis IRFI9540GPBF ab 6.24 EUR bis 14.3 EUR

IRFI9540GPBF
Hersteller: Vishay/IR
P- ; Udss, = 100; Id = 11 ; Ptot, = 48; . = ; Ciss, @ Uds, = 1400 @ 25; Qg, = 61 @ 10 ; Rds = 200 @ 6.6A, 10V; T, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 @ 250 ; TO-220FP
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFI9540GPBF THT P channel transistors
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Hersteller:
IRFI9540G
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFI9540GPBF THT P channel transistors
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Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9540GPBF
IRFI9540GPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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