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IRFI9540GPBF

IRFI9540GPBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFI9540GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFI9540GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Vishay irfi9540g.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Vishay doc91164.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Vishay Semiconductors irfi9540g.pdf MOSFETs TO220 100V 11A P-CH MOSFET
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10+4.82 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Vishay Siliconix irfi9540g.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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10+6.31 EUR
50+4.91 EUR
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY VISH-S-A0013439283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI9540GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Vishay Siliconix IRFI9540G.PDF IRFI9540GPBF -100 В -11 А (TO-220) MOSFET P-CH 100V 11A TO-220-3 Транзистори
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1+25.55 EUR
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IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY IRFI9540G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFI9540GPBF Vishay/IR IRFI9540G_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 61 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 6.6A, 10V, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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MOSFETs TO220 100V 11A P-CH MOSFET
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10+4.82 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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IRFI9540GPBF VISH-S-A0013439283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI9540GPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9540GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFI9540GPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
IRFI9540GPBF -100 В -11 А (TO-220) MOSFET P-CH 100V 11A TO-220-3 Транзистори
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Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFI9540GPBF IRFI9540G_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay/IR
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25, Qg, нКл = 61 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 6.6A, 10V, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
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