IRFI9630GPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 6.29 EUR |
| 10+ | 5.23 EUR |
| 100+ | 4.16 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
| 1000+ | 2.99 EUR |
| 2000+ | 2.84 EUR |
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Technische Details IRFI9630GPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFI9630GPBF nach Preis ab 2.89 EUR bis 6.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFI9630GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI9630GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI9630GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Kind of package: tube Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |