IRFI9630GPBF VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.15 EUR |
| 35+ | 2.07 EUR |
| 50+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
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Technische Details IRFI9630GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI9630GPBF nach Preis ab 1.8 EUR bis 5.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFI9630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9630GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI9630GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 4.3A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI9630GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFI9630GPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 42+ | 3.56 EUR |
| 50+ | 2.9 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| IRFI9630GPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.26 EUR |
| 10+ | 3.43 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.8 EUR |
| IRFI9630GPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 4.3A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 4.3A P-CH MOSFET
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.6 EUR |
| 10+ | 3.66 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| IRFI9630GPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)