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IRFI9634GPBF

IRFI9634GPBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 250V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFI9634GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFI9634GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 4.1 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 35W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF Vishay irfi9634g.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF Vishay Semiconductors irfi9634g.pdf MOSFETs TO220 250V 4.1A P-CH MOSFET
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500+2.32 EUR
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IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF Vishay Siliconix irfi9634g.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
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10+5.02 EUR
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IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY VISH-S-A0013439292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI9634GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 4.1 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
auf Bestellung 725 Stücke:
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55+4.25 EUR
100+2.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
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IRFI9634GPBF VISH-S-A0013439292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Description: VISHAY - IRFI9634GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 4.1 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
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30+8.59 EUR
55+4.25 EUR
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