IRFL214TRPBF

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Hersteller:
IRFL214 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223
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Technische Details IRFL214TRPBF

Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Preis IRFL214TRPBF ab 1.1 EUR bis 3.85 EUR

IRFL214TRPBF
IRFL214TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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IRFL214TRPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFL214TRPBF SMD N channel transistors
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IRFL214TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFL214TRPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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