IRFP450A
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Technische Details IRFP450A
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V.
Preis IRFP450A ab 0 EUR bis 0 EUR
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IRFP450A Hersteller: SILI N-MOSFET 14A 500V 190W 0.4Ohm Trans. IRFP450A TO3P TIRFP450a 
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auf Bestellung 100 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP450APBF
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
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