IRFP460NPBF
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Technische Details IRFP460NPBF
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis IRFP460NPBF ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) 
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