IRFPC40PBF

IRFPC40PBF

Hersteller: VISHAY
Material: IRFPC40PBF THT N channel transistors
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Technische Details IRFPC40PBF

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Preis IRFPC40PBF ab 2.06 EUR bis 8.63 EUR

IRFPC40PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Material: IRFPC40PBF THT N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPC40PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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