IRFPG30PBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details IRFPG30PBF

Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3, Base Part Number: IRFPG30, Package / Case: TO-247-3, Supplier Device Package: TO-247AC, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tube, Manufacturer: Vishay Siliconix.

Preis IRFPG30PBF ab 3.58 EUR bis 3.58 EUR

IRFPG30PBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFPG30PBF THT N channel transistors
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Material: IRFPG30PBF THT N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 1000V N-CH HEXFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Base Part Number: IRFPG30
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: TO-247AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay Siliconix
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