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IRFPG30PBF

IRFPG30PBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details IRFPG30PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay 91252.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFPG30PBF IRFPG30PBF Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY VISH-S-A0014407252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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IRFPG30PBF IRFPG30PBF VISHAY IRFPG30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
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Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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