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IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

irfr120npbf-936355.pdf
Produktcode: 73992
Hersteller: IR
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
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Technische Details IRFR120NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:9.1A
  • On State Resistance:0.21ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:39W
  • Power Dissipation Pd:39W
  • Pulse Current Idm:38A
  • SMD Marking:IRFR120N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFR120NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-1228286.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon (IRF) irfr120n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
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