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IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

irfr120npbf-936355.pdf
Produktcode: 73992
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 63 St.:
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Technische Details IRFR120NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:9.1A
  • On State Resistance:0.21ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:39W
  • Power Dissipation Pd:39W
  • Pulse Current Idm:38A
  • SMD Marking:IRFR120N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR120NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 7 Stücke:
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms
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I-ausg., A: 1A
Fosc, kHz: 450
Temperaturbereich: 0…+70°C
verfügbar: 9 St.
5 St. - stock Köln
4 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.84 EUR
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auf Bestellung 1704 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
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IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 140 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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L7806CV
Hersteller: ST
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Gehäuse: TO-220
Uin, V: 30
Uout,V: 6
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: 0…125
verfügbar: 445 St.
20 St. - stock Köln
425 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
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SCS-6 (KLS1-216-06) (Platte für Mikroschaltung)
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Beschreibung: Platte 6 Kontakte, Schritt 2,54, Breite: 7,62mm
К-сть контактів: 6
Тип панелі: Стандартні DIP
auf Bestellung 222 St.:
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erwartet 3000 St.:
3000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.052 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.022 EUR
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