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IRFR120NPBF

Produktcode: 73992

Hersteller: IR
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD

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Technische Details IRFR120NPBF IR

MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:100V
Cont Current Id:9.1A
On State Resistance:0.21ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:DPAK
Termination Type:SMD
Alternate Case Style:D-PAK
Current Temperature:25`C
External Depth:10.5mm
External Length / Height:2.55mm
External Width:6.8mm
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
Max Voltage Vds:100V
No. of Transistors:1
Power Dissipation:39W
Power Dissipation Pd:39W
Pulse Current Idm:38A
SMD Marking:IRFR120N
Transistor Case Style:D-PAK

Weitere Produktangebote IRFR120NPBF

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRFR120NPBF	Hersteller : International Rectifier/Infineon	N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK	auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR120NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR120NPBF	Hersteller : International Rectifier HiRel Products	Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR120NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFR120NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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Temp.Bereich: 0…+70°C
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Тип пристрою: Шунт

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Gehäuse: SO-14
Eigenschaften: Kontroller-schalter Current Mode
Spannung, eing., V: 12...28 V
I-ausg., A: 1A
Fosc, kHz: 450
Temperaturbereich: 0…+70°C

verfügbar: 9 Stück

5 Stück - stock Köln
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Anzahl	Preis
1+	1.54 EUR
10+	0.84 EUR

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Gehäuse: SMD-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 5 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50 mA
U ausg, V: 70 V
Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C

auf Bestellung 187 Stück:

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Hersteller: ST
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Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30 V
I-ausg., A: 1 A
Fosc, kHz: 50 kHz

auf Bestellung 285 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
№ 6: 8541100090

Produkt ist nicht verfügbar

Anzahl	Preis
1+	0.04 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.02 EUR
1000+	0.02 EUR

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