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IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

irfr120npbf-936355.pdf
Produktcode: 73992
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 9.4 A
Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
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Technische Details IRFR120NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:9.1A
  • On State Resistance:0.21ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:39W
  • Power Dissipation Pd:39W
  • Pulse Current Idm:38A
  • SMD Marking:IRFR120N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR120NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
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IRFR120NPBF Hersteller : International Rectifier irfr120npbf.pdf MOSFET 100V 9.4A DPAK=TO-252AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
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IRFR120NPBF IRFR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr120npbf.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 210mOhms
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12 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 12 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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10000 St. - erwartet 15.06.2026
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1000+0.0028 EUR
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160 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
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160 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 160 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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24 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
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24 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 24 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 4581 St.
1200 St. - stock Köln
3381 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
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Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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30000 St. - erwartet 29.10.2026
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№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
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527 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 10.08.2026
Anzahl Preis
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10+0.06 EUR
100+0.05 EUR
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