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IRFR120NPBF

IRFR120NPBF

irfr120npbf-936355.pdf
Produktcode: 73992
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,21 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
  • 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRFR120NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:9.1A
  • On State Resistance:0.21ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:39W
  • Power Dissipation Pd:39W
  • Pulse Current Idm:38A
  • SMD Marking:IRFR120N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR120NPBF International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
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IRFR120NPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d description Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR120NPBF description irfr120npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 9,4 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 210 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 7 Stücke:
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IRFR120NPBF description irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRLR120NPBF
Produktcode: 32182
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description irlr120npbf-datasheet.pdf
IRLR120NPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.7 EUR
10+0.62 EUR
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1,0 kOhm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1KR-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 39654
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1,0 kOhm 1% 1W 2512 (RC2512FK-1KR-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 1 kOhm
Toleranz: ±1%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
verfügbar: 490 St.
  • 490 St. - stock Köln
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet
auf Bestellung: 106 St.
  • 106 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.098 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
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irfb4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615a9571e0b
IRFB4110PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
auf Bestellung: 5 St.
  • 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.4 EUR
10+4.83 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH6156-3T
Produktcode: 50023
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description sfh6156.pdf
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 кВ
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/50 мА
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 3/23 µs
Kanalanzahl: 1
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
auf Bestellung: 8 St.
  • 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,3 kOhm 5% 2W bedrahtet (MFR200SSJTB-4K3-Hitano)
Produktcode: 55223
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MFRSS_series_20140707.pdf
4,3 kOhm 5% 2W bedrahtet (MFR200SSJTB-4K3-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 4,3 kOhm
Toleranz und TKW: ±5%, ±100ppm
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 350 V
Abmessungen: 9x3 mm; Ø Anschluss = 0.7 mm
Typ: Metallschicht, miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 479 St.
  • 479 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.063 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH