IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFR120ZTRPBF nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
auf Bestellung 32032 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC |
auf Bestellung 12439 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.15 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR120ZTRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 8.7A Drain-source voltage: 100V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 8.7A Drain-source voltage: 100V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced |
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