IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.34 EUR |
| 4000+ | 0.31 EUR |
| 6000+ | 0.29 EUR |
| 10000+ | 0.28 EUR |
| 14000+ | 0.27 EUR |
| 20000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR120ZTRPBF nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC |
auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V |
auf Bestellung 32282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR120ZTRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR120ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.7A Power dissipation: 35W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |