Technische Details IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFR120ZTRPBF nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC |
auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR120ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4000+ | 0.25 EUR |
| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 276+ | 0.53 EUR |
| 288+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.47 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| 2500+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.41 EUR |
| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.6 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 2000+ | 0.28 EUR |
| 4000+ | 0.27 EUR |
| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 148+ | 0.99 EUR |
| 250+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2500+ | 0.8 EUR |
| 5000+ | 0.77 EUR |
| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFR120ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)