IRFR210TRPBF
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Technische Details IRFR210TRPBF
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc).
Preis IRFR210TRPBF ab 0.57 EUR bis 3.09 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252) 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR210TRPBF Hersteller: IRFR210 D-PAK *
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IRFR210TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
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