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Technische Details IRFR220PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFR220PBF nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR220PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 19A Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFR220PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 19A Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 29102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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IRFR220PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR220PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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