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IRFR220PBF

IRFR220PBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR220PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 42W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR220PBF IRFR220PBF Vishay sihfr220.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR220PBF IRFR220PBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IRFR220PBF IRFR220PBF Vishay Semiconductors sihfr220.pdf description MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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3000+0.71 EUR
6000+0.61 EUR
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IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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IRFR220PBF IRFR220PBF VISHAY irfr220_IRFU220.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
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IRFR220PBF description sihfr220.pdf
IRFR220PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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317+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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IRFR220PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8900 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
184+0.94 EUR
211+0.82 EUR
317+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3246 Stücke:
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137+1.27 EUR
169+1 EUR
300+0.54 EUR
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166+1.04 EUR
296+0.57 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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MOSFETs TO252 200V 4.8A N-CH MOSFET
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10+1.49 EUR
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1000+0.79 EUR
3000+0.71 EUR
6000+0.61 EUR
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IRFR220PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 1531 Stücke:
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106+2.37 EUR
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IRFR220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH