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IRFR2405TRPBF

IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN-3363237.pdf MOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.0118 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr2405-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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