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IRFR2405TRPBF

IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR2405TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 description Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
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2000+1.31 EUR
4000+1.21 EUR
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10000+1.12 EUR
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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130+1.33 EUR
155+1.09 EUR
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 396 Stücke:
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109+1.63 EUR
128+1.33 EUR
130+1.26 EUR
155+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irlml5203gpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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60+2.98 EUR
86+2.03 EUR
120+1.42 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.83 EUR
6000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
auf Bestellung 5842 Stücke:
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1+3.61 EUR
10+2.34 EUR
100+1.56 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.12 EUR
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 description Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
auf Bestellung 34298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.5 EUR
10+2.88 EUR
100+1.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFR2405TRPBF International Rectifier HiRel Products irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 description Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079
IRFR2405TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
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IRFR2405TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1399 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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128+1.33 EUR
130+1.26 EUR
155+1.02 EUR
250+0.73 EUR
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auf Bestellung 8479 Stücke:
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60+2.98 EUR
86+2.03 EUR
120+1.42 EUR
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IRFR2405TRPBF description Infineon_IRFR2405_DataSheet_v01_01_EN.pdf
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MOSFETs 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC
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1+3.61 EUR
10+2.34 EUR
100+1.56 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.12 EUR
4000+1.09 EUR
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IRFR2405TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
auf Bestellung 34298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.5 EUR
10+2.88 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBF description INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2405TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR2405TRPBF description INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2405TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
419+1.58 EUR
500+1.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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