auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 0.71 EUR |
| 6000+ | 0.66 EUR |
| 10000+ | 0.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR9120TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9120TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.
Weitere Produktangebote IRFR9120TRPBF nach Preis ab 0.59 EUR bis 3.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET D |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9330 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR9120TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9120TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 3734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| IRFR9120TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
 |
IRFR9120TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR9120TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -22A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |