IRFR9120TRPBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR9120TRPBF

Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Vgs (Max): ±20V, Base Part Number: IRFR9120, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc).

Preis IRFR9120TRPBF ab 0 EUR bis 0 EUR

IRFR9120TRPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFR9120TRPBF SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFR9120TRPBF SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9120TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET D
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Hersteller: Vishay
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IRFR9120TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Vgs (Max): ±20V
Base Part Number: IRFR9120
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
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