IRFR9210TRPBF
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Technische Details IRFR9210TRPBF
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK, Base Part Number: IRFR9210, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel.
Preis IRFR9210TRPBF ab 0.93 EUR bis 1.63 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 
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IRFR9210TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
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IRFR9210TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFR9210TRPBF SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
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IRFR9210TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK Base Part Number: IRFR9210 Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Mounting Type: Surface Mount Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel
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auf Bestellung 1242 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
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