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IRFR9210TRPBF

IRFR9210TRPBF Vishay


sihfr921.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR9210TRPBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

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IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr921.pdf MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
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IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr921.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
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IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Hersteller : Vishay sihfr921.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B313C7700143&compId=IRFR9210.pdf?ci_sign=f015e629e9458f27794481b612a8d891b1b3fab2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90B313C7700143&compId=IRFR9210.pdf?ci_sign=f015e629e9458f27794481b612a8d891b1b3fab2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.2A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.2A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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