IRFS11N50APBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IRFS11N50APBF

Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: N-Channel.

Preis IRFS11N50APBF ab 1.63 EUR bis 7.62 EUR

IRFS11N50APBF
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFS11N50APBF SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
IRFS11N50A
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Hersteller: VISHAY
Material: IRFS11N50APBF SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFS11N50APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
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