IRFZ44STRLPBF
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Technische Details IRFZ44STRLPBF
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Supplier Device Package: D2PAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis IRFZ44STRLPBF ab 4.52 EUR bis 7.75 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 
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IRFZ44STRLPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Supplier Device Package: D2PAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
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