IRFZ48PBF

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFZ48PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Preis IRFZ48PBF ab 0 EUR bis 0 EUR

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IRFZ48 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
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IRFZ48PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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