Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL3705NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF

IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.41 EUR
1600+ 0.9 EUR
2400+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

Weitere Produktangebote IRL3705NSTRLPBF nach Preis ab 0.86 EUR bis 12.03 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.41 EUR
1600+ 0.9 EUR
2400+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
96+1.65 EUR
99+ 1.54 EUR
108+ 1.37 EUR
200+ 1.28 EUR
500+ 1.23 EUR
1600+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
96+1.65 EUR
102+ 1.5 EUR
103+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
96+1.65 EUR
102+ 1.5 EUR
103+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 96
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
21+2.56 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 21
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.03 EUR
IRL3705NSTRLPBF Hersteller : International Rectifier Corporation Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl, TO-252-3
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3705nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl3705nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar