IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRL3705NSTRLPBF nach Preis ab 0.89 EUR bis 4.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl |
auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl, TO-252-3 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
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IRL3705NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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