IRL620SPBF
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Technische Details IRL620SPBF
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Preis IRL620SPBF ab 4 EUR bis 5.51 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 
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IRL620SPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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