IRL620SPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 3.38 EUR |
| 50+ | 2.72 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
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Technische Details IRL620SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRL620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRL620SPBF nach Preis ab 2.24 EUR bis 4.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRL620SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA |
auf Bestellung 1563 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRL620SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRL620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL620SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL620SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRL620SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 21A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRL620SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 21A; 50W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 21A Mounting: SMD Case: D2PAK; TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |