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Technische Details IRLD024PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLD024PBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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IRLD024PBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Mounting: THT |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI |
auf Bestellung 8365 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11511 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. ММ N-HEXFET HD1 Udss=60V; Id=-2,5A; Pdmax=1,3W; Rds=0,10 Ohm |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF Produktcode: 104736 |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 60 V Idd,A: 2,5 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 870/18 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
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