IRLD024PBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 35 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 34+ | 2.16 EUR |
| 35+ | 2.04 EUR |
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Technische Details IRLD024PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLD024PBF nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRLD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.8A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 60V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 2.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF Produktcode: 104736
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HVMDIP-4 Uds,V: 60 V Idd,A: 2,5 A Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 870/18 JHGF: THT ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
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