IRLD024PBF
Produktcode: 104736
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/18
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRLD024PBF nach Preis ab 1.42 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 2.5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD024PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLD024PBF |
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLD024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |