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IRLD120PBF VISHAY

Name: IRLD120PBF
Brand: VISHAY
SKU: 5702271-8
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET

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Technische Details IRLD120PBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

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IRLD120PBF

Hersteller : VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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IRLD120PBF

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Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP

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IRLD120PBF

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IRLD120PBF

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Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP

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IRLD120PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP

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IRLD120PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
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IRLD120PBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI

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IRLD120PBF

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm

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IRLD120PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP

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IRLD120PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP

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