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Technische Details IRLD120PBF Vishay
Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IRLD120PBF nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.11 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLD120PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLD120PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLD120PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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