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IRLD120PBF

IRLD120PBF Vishay

sihld120.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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Technische Details IRLD120PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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IRLD120PBF IRLD120PBF Hersteller : Vishay sihld120.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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IRLD120PBF IRLD120PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF8FCFDEF4469&compId=IRLD120PBF.pdf?ci_sign=3c98dafd7f31072e78a7f61495fed3dc9d006c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
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IRLD120PBF IRLD120PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329352-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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IRLD120PBF IRLD120PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihld120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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IRLD120PBF IRLD120PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihld120.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
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