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Technische Details IRLL014TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRLL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Weitere Produktangebote IRLL014TRPBF nach Preis ab 0.28 EUR bis 2.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3208 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp |
auf Bestellung 10007 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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