IRLL014TRPBF

IRLL014TRPBF

IRLL014TRPBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
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Technische Details IRLL014TRPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Supplier Device Package: SOT-223, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V, Vgs (Max): ±10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA.

Preis IRLL014TRPBF ab 1.34 EUR bis 2.2 EUR

IRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Material: IRLL014TRPBF SMD N channel transistors
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IRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: IRLL014TRPBF SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±10V
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IRLL014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package: SOT-223
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V
Vgs (Max): ±10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
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IRLL014TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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