IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.
Weitere Produktangebote IRLMS1503TRPBF nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl |
auf Bestellung 12487 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 6875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLMS1503TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
Micro6 (SOT-23-6L) |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRLMS1503TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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