IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLMS1503TRPBF nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
 |
IRLMS1503TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 59 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
|
IRLMS1503TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLMS1503TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 307+ | 0.48 EUR |
| 413+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| IRLMS1503TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
auf Bestellung 7220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 1.04 EUR |
| 28+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
| IRLMS1503TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLMS1503TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLMS1503TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLMS1503TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)