IRLR024TRPBF
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Technische Details IRLR024TRPBF
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V, Vgs (Max): ±10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis IRLR024TRPBF ab 0.74 EUR bis 3.59 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR024TR 
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR024TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Part Status: Active Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Supplier Device Package: D-Pak Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V Vgs (Max): ±10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package: D-Pak Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 5276 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
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