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IRLR120NPBF

IRLR120NPBF

irlr120npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 32182
Hersteller:
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR120NPBF

  • MOSFET, N, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.185ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:TO-252
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:48W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:35A
  • SMD Marking:IRLR120NPBF
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRLR120NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 (MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA)
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
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IRLR120NPBF IRLR120NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-1732870.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
IRLR120NPBF IRLR120NPBF Hersteller : Infineon (IRF) irlr120n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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