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IRLR120NPBF

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Produktcode: 32182
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Hersteller:
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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Technische Details IRLR120NPBF

  • MOSFET, N, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.185ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:TO-252
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:48W
  • Max Voltage Vds:100V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:35A
  • SMD Marking:IRLR120NPBF
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR120NPBF irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description IRLR120NPBF Транзисторы HEXFET
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Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 кВ
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/50 мА
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 3/23 µs
Kanalanzahl: 1
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Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 17,6 В
Sperrspannung, Vrm: 15 В
Leckstrom, Irm: 1 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
SMBJ15A-E3/52
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Raster, mm: 5,08 mm
Anzahl Kontakte: 2
Steckverbindertyp: Schraub- Klemme für Leiterplatte
Nennstrom: 10 А
HS-Code: 8536 69 90 90
erwartet: 3000 St.
  • 2000 St. - erwartet 08.11.2026
  • 1000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 1819 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 350 V
Sperrspannung, Vrm: 300 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: THT
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