IRLR120TRPBF

IRLR120TRPBF

Hersteller: VISHAY
Material: IRLR120TRPBF SMD N channel transistors
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 603 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+ 1.14 EUR
122+ 0.59 EUR
138+ 0.52 EUR
153+ 0.47 EUR
500+ 0.44 EUR

Technische Details IRLR120TRPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Supplier Device Package: D-Pak, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc).

Preis IRLR120TRPBF ab 0.44 EUR bis 4.5 EUR

IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
auf Bestellung 422 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+ 2.3 EUR
81+ 1.96 EUR
82+ 1.87 EUR
124+ 1.19 EUR
250+ 1.13 EUR
IRLR120TRPBF
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120TR
sihlr120-1768804.pdf
auf Bestellung 2605 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+ 4.5 EUR
13+ 4.03 EUR
100+ 3.15 EUR
500+ 2.59 EUR
IRLR120#TRPBF
Hersteller: IR

2100 Stücke
IRLR120#TRPBF
Hersteller:

2100 Stücke
IRLR120TRPBF
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
sihlr120.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRLR120TRPBF SMD N channel transistors
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
603 Stücke
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
IRLR120TRPBF
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
auf Bestellung 8069 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRLR120TRPBF
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
IRLR120TRPBF
IRLR120TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
IRLR(U)120,%20SiHLR(U)120.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen