Produkte > IXYS > IXTA76P10T
IXTA76P10T

IXTA76P10T IXYS

IXT_76P10T_HV.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.19 EUR
12+ 6.46 EUR
14+ 5.16 EUR
15+ 4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXTA76P10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Weitere Produktangebote IXTA76P10T nach Preis ab 4.38 EUR bis 15.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.19 EUR
12+ 6.46 EUR
14+ 5.16 EUR
15+ 4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
18+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+9.65 EUR
19+ 8.2 EUR
25+ 7.81 EUR
50+ 6.92 EUR
100+ 5.31 EUR
1000+ 4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+9.65 EUR
19+ 8.2 EUR
25+ 7.81 EUR
50+ 6.92 EUR
100+ 5.31 EUR
1000+ 4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.03 EUR
50+ 12.01 EUR
100+ 10.74 EUR
500+ 9.48 EUR
1000+ 8.53 EUR
2000+ 7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : IXYS media-3319760.pdf MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 2532 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+15.13 EUR
10+ 13.36 EUR
50+ 11.78 EUR
100+ 10.84 EUR
250+ 10.35 EUR
500+ 10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXTA76P10T
Produktcode: 198462 		littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
IXTA76P10T IXTA76P10T Hersteller : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Produkt ist nicht verfügbar