
IXTA76P10T IXYS

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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10+ | 7.19 EUR |
12+ | 6.46 EUR |
14+ | 5.16 EUR |
15+ | 4.88 EUR |
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Technische Details IXTA76P10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTA76P10T nach Preis ab 4.10 EUR bis 12.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 70ns |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
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auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T Produktcode: 198462
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
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