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IXTA76P10T

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
Produktcode: 198462
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.5 EUR
12+7.52 EUR
13+6.93 EUR
14+6.13 EUR
25+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXTA76P10T IXTA76P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IXTA76P10T IXTA76P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.86 EUR
19+9.44 EUR
25+9.14 EUR
50+8.22 EUR
100+6.47 EUR
1000+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IXTA76P10T IXTA76P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.86 EUR
19+9.23 EUR
25+8.79 EUR
50+7.79 EUR
100+5.97 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.42 EUR
50+8.97 EUR
100+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_76P10T_Datasheet.PDF MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.48 EUR
10+9.03 EUR
100+8.29 EUR
1000+7.83 EUR
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IXTA76P10T IXTA76P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.02 EUR
17+14.17 EUR
20+10.71 EUR
50+8.35 EUR
100+7.66 EUR
250+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IXTA76P10T IXT_76P10T_HV.pdf
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 25mΩ
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 197nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+8.5 EUR
12+7.52 EUR
13+6.93 EUR
14+6.13 EUR
25+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXTA76P10T media.pdf
IXTA76P10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+9.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IXTA76P10T media.pdf
IXTA76P10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.86 EUR
19+9.44 EUR
25+9.14 EUR
50+8.22 EUR
100+6.47 EUR
1000+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IXTA76P10T media.pdf
IXTA76P10T
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.86 EUR
19+9.23 EUR
25+8.79 EUR
50+7.79 EUR
100+5.97 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IXTA76P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-76p10t-datasheet?assetguid=23b99775-b9cd-4489-8d98-f9dd1fd0df4a
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.42 EUR
50+8.97 EUR
100+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA76P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_76P10T_Datasheet.PDF
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.48 EUR
10+9.03 EUR
100+8.29 EUR
1000+7.83 EUR
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IXTA76P10T LFSI-S-A0007907450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA76P10T
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.02 EUR
17+14.17 EUR
20+10.71 EUR
50+8.35 EUR
100+7.66 EUR
250+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH