IXTA76P10T
Produktcode: 198462
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Weitere Produktangebote IXTA76P10T nach Preis ab 4.05 EUR bis 14.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -76A Power dissipation: 298W Case: TO263 Gate-source voltage: ±15V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Gate charge: 197nC On-state resistance: 25mΩ Reverse recovery time: 70ns Kind of package: tube |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS |
MOSFETs -76 Amps -100V 0.024 Rds |
auf Bestellung 1196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTA76P10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |