JAN1N978DUR-1
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Technische Details JAN1N978DUR-1
Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO213AA, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V, Tolerance: ±1%, Power - Max: 500mW, Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 39V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AA (Glass), Supplier Device Package: DO-213AA.
Preis JAN1N978DUR-1 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Microsemi HI-REL [MIL] Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO213AA Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V Power - Max: 500mW Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohm Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 39V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA (Glass) Supplier Device Package: DO-213AA 
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 500MW DO213AA Packaging: Bulk Part Status: Active Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V Tolerance: ±1% Power - Max: 500mW Impedance (Max) (Zzt): 125 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr: 500nA @ 39V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA (Glass) Supplier Device Package: DO-213AA
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